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系列稀贵金属溅射靶材 这一研发成果打破了国外垄断
日期:2019-07-03   来源:   作者:匡国友   

  全球范围内,溅射靶材电子材料产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型分布,高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大,具有规模化生产能力的企业数量相对较少。溅射靶材最高端的应用是在超大规模集成电路芯片制造领域,这个领域长期以来被跨国公司垄断,主要是美国和日本的少数公司从事相关业务。

  在半导体溅射靶材方面,国内与国际差距集中在溅射靶材上游材料(主要在超高纯原材料方面)与服务于集成电路先进制程的新产品两大领域。

  近日,据科技日报报道,昆明贵金属研究所下属的云南省贵金属材料重点实验室研发团队,近期在电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程化应用研究中取得重大突破,成功研发出系列稀贵金属溅射靶材。这一研发成果打破了国外垄断,实现了同类产品可替代进口,并出口至美国著名半导体公司。

  根据云南省科技厅消息,云南省贵金属材料重点实验室研发团队是在主任胡昌义带领下,开展电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程化应用研究,已成功制备NiPt、CoCrPtB等靶材和Ru、CoCrPt-SiO2靶。研发成果申请专利25件,授权11件,制定行业标准1项,发表论文66篇,荣获2018年中国有色金属工业科技进步一等奖。通过新技术的攻关和应用,实现了靶材产品的主要性能指标靶材纯度大于等于99.995wt%、靶材主成分偏差正负0.5wt%以内、靶材密度大于等于98.5%、靶材与背板焊合率大于等于98.5%。

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